安森美推垂直氮化鎵，損耗降近50%

10月31日，安森美（onsemi）宣布推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體，這一創新產品在降低能量損耗方面成效顯著，損耗減少近50%。

在超高壓器件領域，安森美的垂直氮化鎵（vGaN）采用GaN-on-GaN技術，實現了電流垂直流過芯片，而非傳統的沿表面橫向流動。這種創新的電流傳導方式是降低能量損耗和熱量的關鍵所在。

當下，人工智能數據中心、電動汽車等高能耗應用領域對能源的需求日益增長，對功率密度、效率和耐用性也提出了更高要求。安森美的垂直氮化鎵功率半導體適時推出，為這些領域帶來了新的解決方案。

目前，安森美已向早期客戶提供700V和1200V器件樣品。該技術由安森美位于紐約州錫拉丘茲的晶圓廠研發制造，企業擁有超130項全球專利，覆蓋垂直GaN技術的眾多方面。

安森美半導體企業戰略高級副總裁Dinesh Ramanathan表示，垂直氮化鎵技術將改變行業格局，鞏固安森美在能效和創新領域的領先地位。在電氣化和人工智能重塑各行業的當下，能效成為關鍵競爭因素，垂直氮化鎵技術納入功率產品組合，為客戶實現卓越性能提供了有力工具。

安森美垂直氮化鎵技術旨在處理單片芯片中的高電壓（1200伏及以上），能在高頻下高效切換大電流。采用該技術構建的高端電源系統，不僅大幅降低損耗，還因更高的工作頻率，可大幅縮小器件尺寸，包括電容器和電感器等無源器件。而且，與市售的橫向GaN器件相比，vGaN器件尺寸約只有其三分之一，為相關應用領域實現更小巧、輕便的系統提供了可能。