"三安光電碳化硅芯片首搭理想汽車，高壓平臺迎關鍵突破"

**三安光電碳化硅芯片首搭理想汽車，高壓平臺迎關鍵突破**

11月27日，湖南三安半導體在長沙宣布其碳化硅（SiC）主驅芯片正式搭載于理想汽車高壓平臺車型，標志著國產車規級功率半導體在高端電動車領域實現里程碑式突破。此次合作基于雙方2022年合資成立的蘇州斯科半導體，其全橋功率模塊已于今年一季度量產下線，為理想純電車型的高效電驅系統提供核心支撐。

**技術迭代驅動效能躍升**

三安光電此次上車的1200V 13mΩ SiC MOSFET為第三代車規級產品，較前代16mΩ版本導通損耗降低18.75%，顯著提升主驅逆變器效率。這一技術突破源于元胞結構優化，通過降低導通電阻與品質因數（FoM）的乘積，實現開關效率與散熱性能的同步提升。在理想i8等高壓平臺車型中，該芯片與自研功率模塊協同工作，助力電驅系統續航增加30公里，并支持300千瓦以上超快充功率，10分鐘補能500公里。

**垂直整合重塑供應鏈格局**

理想汽車通過自建蘇州半導體基地與常州電驅工廠，完成從碳化硅芯片到電機總成的全鏈路布局。其整車電動產品負責人唐華寅透露，2025年推出的純電車型將全系應用該技術，結合5C電池與低風阻設計，綜合續航達成率領先行業。三安光電則同步擴充產能，目前6吋SiC月產能達1.6萬片，8吋襯底及外延產線加速爬坡，為后續800V高壓平臺規模化應用儲備產能。

**國產替代進入深水區**

此次合作凸顯車企與半導體企業的深度綁定趨勢。三安光電此前已為十余家Tier 1及整車廠送樣SiC器件，而理想汽車通過合資模式鎖定核心芯片供應，規避海外供應鏈風險。行業分析指出，碳化硅主驅芯片的國產化上車，將加速800V高壓平臺普及，未來三年全球車用SiC市場規模有望突破百億美元。

隨著理想首款純電SUV即將上市，三安光電的技術落地或將成為中國電動車產業鏈自主可控的范本，推動高端功率半導體從“國產替代”邁向“全球競逐”新階段。