比亞迪擬2023年電動車全面搭載SiC電控

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12月10日，比亞迪在浙江寧波發布IGBT4.0技術。IGBT的全稱是“絕緣柵雙極型晶體管”，其芯片和動力電池單元被稱為電動汽車的“雙芯”，是影響電動汽車性能的關鍵技術，其成本約占整車成本的5%。對于電動汽車，IGBT直接控制驅動系統中直流電和交流電的轉換，這決定了車輛的扭矩和最大輸出功率。

“第三代半導體材料SiC”

發布會上，比亞迪還發布了另一則消息:公司已成功研發出SiC MOSFET，預計2021年將推出搭載SiC電控的電動汽車。預計到2023年，比亞迪電動汽車將完全用SiC基車用功率半導體替代硅基IGBT，在現有基礎上再提升10%的整車性能。

“比亞迪SiC晶圓”

據悉，比亞迪重金布局第三代半導體材料SiC，將整合材料、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導體全產業鏈，努力降低SiC器件制造成本，加速其在電動汽車領域的應用。比亞迪第六事業部、太陽能事業部總經理陳剛表示:“SiC MOSFET將成為比亞迪電動車性能不斷迭代更新的新一代‘殺手’。我們期望在加速和電池壽命等性能指標上給消費者帶來更多驚喜。”

作為中國電動汽車企業的代表之一，比亞迪在2021年至2021年連續三年蟬聯全球新能源汽車銷量冠軍。今年前十個月，比亞迪累計銷售新能源乘用車16.3萬輛，距離全年20萬輛的銷售目標僅一步之遙。