PVD鍍膜靶材應用在哪些方面?與CVD鍍膜有什么區別?

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PVD：\r\n用物理方法(如蒸發、濺射等)，使鍍膜材料汽化在基體表面，沉積成覆蓋層的方法。\r\nCVD：\r\n用化學方法使氣體在基體材料表面發生化學反應并形成覆蓋層的方法。

一，從方式看區別 CVD是化學氣相沉積的方式。PVD是物理氣相沉積法的方式。二，薄厚溫度 CVD處理的溫度為900℃~1100℃，涂層厚度可達5~10μm。PVD處理的溫度為500℃，涂層厚度為2~5μm，比CVD薄。

與CVD工藝相比，PVD工藝處理溫度低，在600℃以下時對刀具材料的抗彎強度無影響；薄膜內部應力狀態為壓應力，更適于對硬質合金精密復雜刀具的涂層；PVD工藝對環境無不利影響，符合現代綠色制造的發展方向。

CVD技術是化學氣相沉積Chemical Vapor Deposition的縮寫。

CVD可以涂的更厚一點，PVD相對就薄很多。但CVD的涂層元素有限。